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全球UVC LED芯片市場前10強生產商排名中科潞安排名第八

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2024-04-12

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紫外LED一般指發(fā)光中心波長在405 nm以下的LED，LED業(yè)界通常將發(fā)光波長位于355～405 nm時稱為近紫外LED，而短于280 nm時稱為深紫外LED。目前在LED的研究和生產中用到最多的材料GaN的禁帶寬度為3.4 eV，對應的發(fā)光波長為365 nm，剛好處于近紫外波段范圍，因此，近紫LED中一般采用GaN作為基材。而深紫外LED通過在基材GaN中添加A l 擴大帶隙，獲得更短的發(fā)光波長。
紫外LED一般指發(fā)光中心波長在405 nm以下的LED，LED業(yè)界通常將發(fā)光波長位于355～405 nm時稱為近紫外LED，而短于280 nm時稱為深紫外LED。目前在LED的研究和生產中用到最多的材料GaN的禁帶寬度為3.4 eV，對應的發(fā)光波長為365 nm，剛好處于近紫外波段范圍，因此，近紫LED中一般采用GaN作為基材。而深紫外LED通過在基材GaN中添加A l 擴大帶隙，獲得更短的發(fā)光波長。

UVC-LED 又稱深紫外LED，深紫外光是指波長100 nm到280 nm之間的光波，半導體深紫外光源在照明、殺菌、醫(yī)療、印刷、生化檢測、高密度的信息儲存和保密通訊等領域具有重大應用價值。
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